机译:晶格匹配GaN的Sc_xAl_yGa_(1-x-y)N合金的电子结构和自发极化:第一性原理研究
Department of Electrical, Electronic and Information Engineering, Kanto Gakuin University, Yokohama 236-8501, Japan;
Institute of Multidisciplinary Research of Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan;
Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo-Chemical Co., Ltd., Tsukuba, Ibaraki 300-3294, Japan;
Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo-Chemical Co., Ltd., Tsukuba, Ibaraki 300-3294, Japan;
Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo-Chemical Co., Ltd., Tsukuba, Ibaraki 300-3294, Japan;
Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan;
机译:与GaN晶格匹配的Sc_xAl_yGa_(1-x-y)N合金的自发极化和带隙弯曲的第一性原理研究
机译:与GaN晶格匹配的Y_xAl_yGa_(1-x-y)N合金的自发极化和带隙弯曲
机译:与GaAs晶格匹配的BInGaAs四元合金电子和光学性质的第一性原理研究
机译:PbZr0.4Ti0.6O3的电子结构和自发极化的第一性原理研究
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:四元GaAs1-x-y的电子和光学性质ñX双ÿ 与GaAs晶格匹配的合金:第一性原理研究
机译:与GaAs晶格匹配的四元GaAsNBi合金的电子和光学性质:第一性原理研究