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机译:栅极泄漏注意事项对隧道场效应晶体管设计的影响
Nanotechnology Group, Solid State Physics Laboratory, Delhi 110054, India,Indian Institute of Technology, New Delhi 110 016, India;
Indian Institute of Technology, New Delhi 110 016, India;
机译:严格考虑栅极边缘场的双栅极隧道场效应晶体管的改进紧凑模型
机译:载流子隧穿和栅极感应的漏极泄漏效应对鳍形场效应晶体管的栅极和漏极电流的贡献
机译:栅极隧穿泄漏对具有超薄栅极氧化物的NMOS晶体管工作的影响
机译:双栅极隧穿场效应晶体管的栅极泄漏模型
机译:III-V垂直隧道场效应晶体管,隧道与栅极字段对齐
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:栅极漏电考虑对隧道场效应晶体管的影响 设计