...
机译:使用CHxFy / Ar / O-2等离子体控制薄介电膜蚀刻过程中SiO2 / Si界面缺陷的产生
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan.;
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan.;
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan.;
Sony Corp, Atsugi, Kanagawa 2430014, Japan.;
机译:在CH3OH / Ar,C2H5OH / Ar,CH4 / Ar和CH4 / O-2 / Ar气体混合物的高密度等离子体中干蚀刻钯薄膜
机译:使用O-2 / Ar,CH4 / Ar和O-2 / CH4 / Ar等离子体的Ru薄膜的蚀刻特性
机译:使用电感耦合的SF6 / O-2 / AR等离子体,通过改进的SiC / SiO2选择性进行微型沟槽4H-SIC蚀刻
机译:Cl_2 / C_2F_6 / Ar和HBr / Ar等离子体中Pb(Zr_xTi_(1-x)O_3薄膜的感应耦合等离子体刻蚀
机译:基于八氟环丁烷的等离子放电的特征,用于二氧化硅和低K介电薄膜的选择性刻蚀和处理。
机译:通过直接等离子体辅助氧化控制4H-SiC上生长的SiO2膜中的缺陷和过渡层
机译:高kk电介质HfO(2)薄膜在电感耦合碳氟化合物等离子体中的蚀刻特性
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成