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机译:Ni / HfOx / Pt电阻随机存取存储器件的电阻开关特性的氧化物厚度依赖性
Kansai Univ, Grad Sch Sci & Engn, Suita, Osaka 5648680, Japan;
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机译:膜厚和Ar / O2比率对基于HfOx的电阻切换随机存取存储器的电阻切换特性的影响
机译:TiN / HfOx / ITO器件在电阻随机存取存储器中的双极电阻开关特性
机译:Ti / Hf / HfO_2 / Au电阻随机存取存储器件的电阻切换特性的Hf层厚度依赖性
机译:Ti / HfOx / Pt电阻性随机存取存储器的Hf氧化膜溅射条件依赖性
机译:具有多级电阻状态的基于氧化物的电阻式随机存取存储装置的理解和应用
机译:基于TiO2的电阻式随机存取存储设备中的电阻切换的远程控制
机译:基于HFOX基电阻随机接入存储器中的多电阻切换模式的分析与仿真使用Memdiode
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。