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机译:在独立式GaN衬底上通过金属有机气相外延生长的m平面Al1-xInxN外延层的光谱椭偏研究
Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Mitsubishi Chem Corp, LED Mat Dept, Ushiku, Ibaraki 3001295, Japan;
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Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
机译:金属有机气相外延法在低缺陷密度M平面独立Gan衬底上生长M平面Ingan薄膜的改进特性和问题
机译:通过卤化物气相外延生长用于m平面InGaN外延生长的最新m平面自立式GaN衬底的优点和剩余问题
机译:通过氢化物气相外延在氨热法合成的GaN籽晶上生长的具有低点缺陷浓度的低电阻率m面独立式GaN衬底
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在独立的大块m平面衬底上开发同质外延生长的GaN薄膜层
机译:通过氢化物-金属有机气相外延技术生长和表征独立式氮化镓衬底。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:由卤化物气相外延形式ingan外延生长生长的现有技术平面独立GaN基材的优点及其存在的优点及剩余问题
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管