机译:并五苯薄膜晶体管的工作稳定性,通过氧等离子体处理调节阈值电压
Kobe Univ, Grad Sch Engn, Dept Elect & Elect Engn, Kobe, Hyogo 6578501, Japan;
Kobe Univ, Grad Sch Engn, Dept Elect & Elect Engn, Kobe, Hyogo 6578501, Japan|Univ Tokyo, Inst Nano Quantum Informat Elect NanoQuine, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
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Univ Tokyo, Inst Nano Quantum Informat Elect NanoQuine, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan|Univ Tokyo, Inst Ind Sci IIS, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
机译:具有Ta_2O_5栅绝缘体的低压并五苯薄膜晶体管及其可逆光致阈值电压漂移
机译:由并五苯薄膜晶体管组成的环形振荡器,其阈值电压受控制
机译:具有受控阈值电压的并五苯薄膜晶体管在增强/耗尽型逆变器中的应用
机译:用于底部接触并五苯有机薄膜晶体管的金电极上氧等离子体处理增强的空穴注入
机译:并五苯薄膜晶体管的接触电阻和空穴迁移率。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:使用并五苯和非晶InGaZnO薄膜晶体管的顶栅混合互补逆变器,具有很高的工作稳定性