机译:单层MoS2的CVD生长:生长区构型和前体比例的作用
Anadolu Univ, Fac Engn, Dept Mat Sci & Engn, TR-26555 Eskisehir, Turkey;
Anadolu Univ, Fac Engn, Dept Elect & Elect Engn, TR-26555 Eskisehir, Turkey;
Anadolu Univ, Fac Engn, Dept Mech Engn, TR-26555 Eskisehir, Turkey;
Anadolu Univ, Fac Engn, Dept Elect & Elect Engn, TR-26555 Eskisehir, Turkey;
机译:通过MOCVD生长MOS2单层的改善的发光性质:预处理和生长参数的作用
机译:Si / SiO2基板上的大面积MOS2,WS2和MOSE2单层的玻璃辅助CVD生长
机译:使用原位光谱直接观察单层MoS2的CVD生长
机译:石墨烯大面积和单层的合成:通过CVD方法的过渡金属载体和生长时间的作用
机译:产后鼠脑室下区神经发生中的细胞迁移和增殖:表皮生长因子受体和多巴胺受体的作用3。
机译:通过APCVD探索改善大型高质量单层MoS2的生长
机译:CVD使用基于溶液 - 基于溶液金属前体的单层MOS2的生长参数研究