monolayer MoS2 APCVD Raman spectra growth condition PL spectrum graphene quantum dot Oxygen plasma;
机译:加工参数对APCVD制备的单层MOS2在加入坩埚中的影响
机译:通过SiO2 / Si基材的硫预处理的硫蒸气预处理的显着质量改善
机译:单层MoS2与石墨之间压力介导的接触质量改善
机译:通过化学气相沉积制备的连续单层MOS2的生长机理
机译:单层MoS2和MoS2 /量子点杂化物:新型光电材料。
机译:影响APCVD法生长大尺寸单层MoS2的因素研究
机译:APCVD影响大型单层MOS2生长的因素研究