液相前驱体制备单层MoS2薄膜

摘要

MoS2薄膜生长主要通过化学气相沉积法来制备,本文使用液相金属前驱体替换传统的粉末原料,有效控制了生长基片表面的形核密度,提高了基片表面样品均匀度。并对生长过程中的基片前处理工艺、反应温度和时间、气压、前驱体量以及基片堆叠结构进行了系统的研究。通过优化制备工艺,实现了单层、单晶MoS2薄膜的可控制备,其单晶畴尺寸达到30 μm。