高质量单层MoS2的APCVD生长及光电性能研究

摘要

单层二硫化钼(MoS2)具有直接带隙和优异的光电性能,在场效应晶体管、太阳能电池、光电探测器和气体传感器等领域有潜在的应用前景。本文采取常压化学气相沉积(APCVD)的方法在SiO2/Si衬底上生长了大尺寸的三角形MoS2纳米片。Raman谱、PL谱和光学衬度谱表明,所生长的MoS2样品为厚度均匀的单层MoS2,且具有较高的晶化质量和良好的发光性能。