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机译:使用高级二氧化硅磨料在SiO2上对Si3N4进行高度选择性的化学机械抛光
Seoul Natl Univ, Sch Chem & Biol Engn, Seoul 151742, South Korea|Samsung Elect Co Ltd, Semicond R&D Ctr, Hwaseong 18448, Gyeonggi, South Korea;
Samsung Elect Co Ltd, Semicond R&D Ctr, Hwaseong 18448, Gyeonggi, South Korea;
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Seoul Natl Univ, Sch Chem & Biol Engn, Seoul 151742, South Korea;
机译:电荷密度和pH值对聚阳离子在多晶硅,SiO2和Si3N4膜上的吸附以及化学机械抛光过程中去除的影响
机译:磨料性质对化学机械抛光中掺氮的Ge_2sb_2te_5对Sio_2薄膜抛光速率选择性的影响
机译:核/壳结构固体二氧化硅/中孔二氧化硅微球作为化学机械抛光的新型磨料
机译:基于C面蓝宝石衬底的ZnO掺杂SiO2磨料和化学机械抛光性能的制备
机译:用于化学机械抛光的二氧化硅和二氧化铈纳米颗粒混合磨料浆料的胶体稳定性研究。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:Ag2O改性二氧化硅磨料的制备及其在蓝宝石上的化学机械抛光性能