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机译:基于多偏置统计模型的Ku带GaN HEMT功率放大器的设计
Univ Elect Sci & Technol China, Sch Elect Engn, EHF Key Lab Fundamental Sci, Chengdu 611731, Peoples R China;
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equivalent circuit parameters; GaN HEMT; Monte Carlo simulation; power amplifier; statistical model;
机译:Ku波段高功率密度AlGaN / GaN HEMT单片功率放大器
机译:一种新型的GaN HEMT非线性大信号统计模型,用于S波段功率放大器设计和成品率估算
机译:GaN HEMTs非线性大信号统计模型及其在S波段功率放大器设计中的应用
机译:基于物理的紧凑模型:基于仿真的GaN HEMT功率放大器设计的新兴趋势
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:考虑到存储器效应,用于UMTS基站功率放大器设计的GaN HEMT的大信号建模
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。