基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计

摘要

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响.同时,选用了南京电子器件研究所的0.25 μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真.根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3～10％的效率提升.以此设计了一款X波段单级MMIC功放.经测试,该功放芯片在9.2～11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88％.