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机译:增强GaN HEMT模型:功率放大器设计的网关
Univ Messina, Dept Engn, I-98166 Messina, Italy;
Univ Ferrara, Dept Engn, I-44122 Ferrara, Italy;
Univ Roma Tor Vergata, Dept Elect Engn, I-00133 Rome, Italy;
Univ Roma Tor Vergata, Dept Elect Engn, I-00133 Rome, Italy;
Univ Messina, Dept Engn, I-98166 Messina, Italy;
Univ Ferrara, Dept Engn, I-44122 Ferrara, Italy;
Katholieke Univ Leuven, Dept Elect Engn, B-3001 Leuven, Belgium;
equivalent circuit; GaN HEMT; microwave measurements; power amplifier design;
机译:GaN HEMT的大信号建模方法,用于射频开关模式功率放大器设计
机译:用于RF功率放大器设计的Si衬底上GaN HEMT的改进建模
机译:基于机器学习的宽带GaN HEMT行为模型应用于C类功率放大器设计
机译:电动功率放大器设计赋予GaN-Si HEMT非线性建模
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:增强GaN HEMT模型:功率放大器设计的网关
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。