机译:掺硼栅极氧化物的高压4H-SiC功率MOSFET
Institut de Microelectrònica de Barcelona, Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
Institut de Microelectrònica de Barcelona, Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
CALY Technologies, Centre d'Entreprise et d'Innovation, Villeurbanne, France;
Institut de Microelectrònica de Barcelona, Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
Institut de Microelectrònica de Barcelona, Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
Institut de Microelectrònica de Barcelona, Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Campus de la Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
ABB Switzerland Ltd, Corporate Research Centre, Baden-Dättwil, Switzerland;
Grupo de Sistemas Electrónicos de Alimentación, Campus de Viesques, Universidad de Oviedo, Oviedo, Spain;
Grupo de Sistemas Electrónicos de Alimentación, Campus de Viesques, Universidad de Oviedo, Oviedo, Spain;
Grupo de Sistemas Electrónicos de Alimentación, Campus de Viesques, Universidad de Oviedo, Oviedo, Spain;
MOSFET; Boron; Silicon carbide; Logic gates; Doping profiles; Silicon;
机译:在带有栅极场板的高纯度半绝缘4H-SiC衬底上实现的高压横向双注入MOSFET
机译:采用高压双极技术的背栅掩埋氧化物MOSFET,用于键合氧化物/ SOI接口表征
机译:校正“在商业铸造中制造的600V 4H-SiC MOSFET,栅极氧化物厚度降低27nm以实现15V的IGBT兼容栅极驱动器[11月19日1792-1795]
机译:栅极氧化物厚度对1200 V 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的电学特性的影响
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:硼掺杂栅极氧化物的高压4H-SiC功率MOSFET
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)