O_3－TEOS膜によるMEMS貫通配線絶縁膜の評価

摘要

センサの小型化の要求に対して縦集積MEMSセンサを実現するにあたり，MEMSの貫通配線がrn必要である．貫通配線とSi基板を電気的に絶縁する配線側壁の絶結膜形成はMEMSの貫通配線を実現するための要素技術の一つである．￠10μm/探さ400μmという高いアスペクトの貫通孔に対する絶縁膜の作製という課題に対し，本論文ではO_3－TEOS CVDにより作製した絶縁膜の電気特性．FT－IR特性，BHFエッチングレートを評価し，縦集積MEMSセンサへの適用性可能性の評佃を行った．また，貫通孔に対してCuをフィリングすることで貫通配線を形成して絶縁性の評価を行った結果，配線間抵抗が20MΩ以上であることを確認できた．これらのことからO_3-TEOSによる絶縁膜が縦集積MEMSセンサに適用が可能であることを実証した．