2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討

摘要

あらまし　Pt（15nm）／Hf（8nm）／n－Si（100）構造を4000C／60minのシ．）サイド化により形成したHf混晶化シリサイド（Pta＝HfySi）の耐熱性を改善するため，2段階シ1）サイド化プロセスに関する検討を行った．従来の 4000C／60minで形成したPt。HfySiの場合，5500C以上のアニールにより，n－Siに対する障壁高さが0．5eVから0・78eVに上昇し，シート抵抗も400／sqに増大するのに対して，2段階シリサイド化で形成したPtxHfySiは7000Cまでの再アニールを行った場合でも，n－Siに対する障壁高さ0．65eVが維持され，30n／sqの低いシート抵抗が得られることが分かった・更に，薄膜化に関する検討を行った．Pt（4nm）／Hf（2nm）／n－Si（100）構造において，2段階シリサイド化で形成したPtxHfySiにおいても障壁高さを0．3eV低減できることが分かった．