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机译:使用Λ型负电阻器件的多值存储单元的CMOS实现
Department of Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University, Funabashi-shi, 274-8501 Japan;
analog; CMOS; Λ-shaped negative-resistance; multiple-valued memory cell;
机译:基于负微分电阻器件的多值逻辑有符号数字加法器的CMOS实现
机译:多值静态CMOS存储器单元
机译:基于DRAM单元的多值存储器中逻辑电路的实现
机译:基于负差分电阻器件的多值逻辑符号数字加法器的标准CMOS实现
机译:在多值静态CMOS存储器单元上。
机译:氧化镧Ga:CMOS逻辑和存储设备的新型电子设备材料
机译:多值静态CmOs存储单元