机译:低温N沟道多晶硅LDD TFT的电场和载流子浓度的二维模拟
Department of Image Engineering, Tokyo Polytechnic University, Atsugi-shi, 243-0297 Japan;
n-channel poly-Si LDD TFT; device simulation; electric field distribution; carrier concentration distribution; hot-carrier degradation;
机译:热载流子引起的n沟道LDD和SD多晶硅TFT中阈值电压和跨导的退化
机译:n沟道低温多晶硅TFT中的热载流子效应
机译:N沟道低温多Si TFT中的热载波效应
机译:由于高场,热载流子和辐射应力,n沟道多晶硅TFT的器件性能下降
机译:用于确定碳化硅中电荷载流子和掺杂剂浓度的电表征方法的评估。
机译:二维神经场中的数值模拟
机译:由于高场,热载流子和辐射应力,n沟道多晶硅TFT的器件性能下降