机译:CMOS电路后端金属线上集成的磁隧道结的直流性能研究
CIR, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan;
rnCIR, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan;
rnRIEC, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8577 Japan;
rnHitachi Advanced Research Laboratory, Kokubunji-shi, 185-8601 Japan;
rnHitachi Advanced Research Laboratory, Kokubunji-shi, 185-8601 Japan;
rnRIEC, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8577 Japan;
rnRIEC, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8577 Japan;
rnRIEC, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8577 Japan;
rnCIR, Tohoku University, Sendai-shi, 980-8578 Japan;
magnetic tunnel junction (MTJ); spin-transfer torque RAM (STT-RAM); tunnel magnetoresistance (TMR); magnetoresistive RAM (MRAM); current-induced magnetization switching;
机译:CMOS电路后端金属线上集成的磁隧道结的直流性能研究
机译:CMOS电路后端金属线上集成的磁隧道结的直流性能研究
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