アルチファキットを利用したInGaN／GaN波長可変発光ダイオード

摘要

We demonstrate that the apparent emission colors of InGaN-based LEDs using micro-structured multifacet quantum wells as active layers can externally be controlled over a wide spectral range that encompasses green to blue or white at a color temperature of 4000 K to blue along the Planckian locus. The controllability relies on facet-dependent polychromatic emissions. The pulsed current operation with the appropriate duties varied their relative intensities and the consequent apparent colors without seriously affecting the total number of emitted photons, particularly for the blue to green variation. The proposed LEDs can be fabricated through a simple process and, therefore, may be a key device for advanced SSL.%GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN／GaN発光ダイオード（LED）を作製した．各ファセット面における量子井戸膜厚やIn組成が異なるため，LEDは多波長発光を示した．駆動電流値を変えると，それに伴って各ファセットからの発光成分の相対強度が変化し，見た目の発光色が変化した．これを利用して，注入キャリア数を一定に保つように設定したパルス電流駆動により，出射光子数に大きな影響を与えることなく，LEDの発光色を広い波長域一例えば，緑から青色や，あるいは，色温度4000Kの白色から黒体輻射軌跡に沿って青色－に渡って外部調光することができた．ここで提案するLEDは，従来から結晶品質改善に利用される再成長技術によって作製されていることから，作製プロセスを複雑化せずに新しい機能を付加することができることが特長である．