一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括p‑InGaN衬底、ZnO:Ga微米线，p‑InGaN衬底上制备有合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线紧贴在p‑InGaN衬底上，且不接触合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线与p‑InGaN衬底构成n‑ZnO:Ga/p‑InGaN异质结构，ZnO:Ga微米线远离合金薄膜电极的一端附着有Ag薄膜电极；该发光二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在p‑InGaN衬底上沉积合金薄膜电极；(S2)在n‑ZnO:Ga微米线一端的侧面上沉积Ag薄膜电极；(S3)将镀有Ag薄膜电极的单根n‑ZnO:Ga微米线的面向上紧贴在p‑InGaN衬底上，确保n‑ZnO:Ga微米线不和合金薄膜电极接触，即得到ZnO/InGaN异质结发光二极管。该发光二极管能够发出高效率高强度的黄绿光。