マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード

摘要

GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した．各ファセット面における量子井戸膜厚やIn組成が異なるため，LEDは多波長発光を示した．駆動電流値を変えると，それに伴って各ファセットからの発光成分の相対強度が変化し，見た目の発光色が変化した．これを利用して，注入キャリア数を一定に保つように設定したパルス電流駆動により，出射光子数に大きな影響き与えることなく，LEDの光色を広い波長域－例えば，緑から青色や，あるいは，色温度4000Kの白色から黒体輻射軌跡に沿って青色－に渡って外部調光することができた．ここで提案するLEDは，従来から結晶品質改善に利用されあ再成長技術によって作製されていることから，作製プロセスを複雑化せずに新しい機能を付加することができることが特長である．