カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて

摘要

Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) are promising candidates for the building block of the single electron transistor (SET). To achieve the room-temperature operation, we tried to improve the temperature characteristics of the SWNT-SETs. The barriers, which confine electrons in the Coulomb island, dominate the temperature characteristics of the SWNT-SETs mainly. We report our approaches to form the "good" barriers. Two approaches are under way, one is the method for the barrier characteristics improvement with an organic material, and the other is the barrier formation with the defects induced by ion beam. We achieved the operation temperature of 80K and 120K, by the respective methods.%単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トランジスタの室温動作に向けて、動作温度の向上を図っている。その温度特性は、クーロンアイランドを形成するバリアの特性が大きな決定要因となっている。本報告では我々の高温動作に向けてのアプローチとして、有機高分子によるバリア特性を改善する手法と、イオンビーム照射によって導入される部分的な高抵抗部をバリアに用いる手法について報告する。現在のところ、これらの手法によってそれぞれ80Kおよび120Kでの動作を確認している。