ウェットプロセスによるGaN 系材料の表面安定化（バッシベーション）を試みるため、グリコール水溶液中での電気化学プロセスによる酸化薄膜形成の条件を詳細に検討した。サイクリックボルタンメトリにより決定した電圧を印加する際、OVから徐々に掃引しながら上昇させた後定電圧モードに切り替える、電圧制御酸化プロセスを採用することにより、平坦性の良い酸化膜が形成可能となった。形成された膜は酸化ガリウムの多結晶がアモルファス酸化物中に混在する組成であることが断面TEM 観察により判明した。酸化中に得られた電流特性から酸化膜厚を間接的に見積もり、実測値との相関を調べることで電荷量による酸化膜厚制御を試みた。最後に、本酸化プロセスによる酸化膜のバッシベーション効果についてその有用性を示した。%The oxidation condition of n-GaN by wet chemical process was optimized. The bias voltage for oxidation was decided by cyclic voltammetry measurement. As the oxidation bias voltage, the combination of ramp and constant bias form was used, which prevent the surface from roughening. After the process, it was confirmed by XPS and AES that the surface was area-selectively oxidized. Cross-sectional TEM observation revealed the composition of the oxide layer was the mixture of poly crystal and amorphous of gallium oxides. The formed oxide was about 70-100nm-thick. We tried to estimate the oxide thickness using total charge value during the oxidation process. The actual thickness of oxide layer was proved to be about 1/6 of the estimated value. Finally, the feasibility of the oxidation technique for surface passivation was investigated using photoluminescence measurement.
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