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【24h】

60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機

机译:60GHz波段CMOS相控阵发射器

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摘要

A 60-GHz band phased array transmitter is developed based on standard 90-nm CMOS process and beam steering function is demonstrated using a transmitter module with a 1 × 6 array antenna. The transmitter includes a phase locked oscillator and 6 RF circuits which consist of an orthogonal modulator, a high gain amplifier, and a power amplifier. Each of RF circuits connects to each antenna directly. An RF signal phase is changed every 90-degree by switching paths of a baseband signal which are delivered to the orthogonal modulator. Each of the RF circuits typically exhibits a power of 0 dBm at 1-dB compression point, a conversion gain of 15 dB, and a 3-dB bandwidth of 600MHz. The phase noise is -80 dBc / Hz at 1MHz offset. The beam steering from 0 to 60 degree is observed. The chip size is 5 mm × 2.5 mm. The circuit consumes 960 mW at 1.0 V supply.%60GHz帯フェーズドアレイ送信機を標準90nm CMOSプロセス技術を用いて開発し、1×6アレイアンテナへ接続してビームステアリングの実証を行った。送信機は位相同期発振器と6つのRF回路(直交変調器、高利得増幅器、送信増幅器)から構成され、各RF回路は6つの各アンテナへ接続される。直交変調器へ入力されるベースバンド信号の経路を切換えることで、RF信号の位相を90°ステップで制御できる位相制御回路を開発した。各RF回路の性能は、PldBが0dBm、変換利得が15dB、3dB帯域が600MHzであった。ローカル信号の1MFz七離れの位相雑音は-80dBc/Hzであった。送信機をアンテナへ接続した送信モジュールにおいて、放射角が0°から60°までビームステアリング特性を観測した。送信機チップのサイズは5mm×2.5mmであり、消費電力は電源電圧1.0Vで960mWであった。
机译:基于标准的90 nm CMOS工艺开发了60 GHz频带相控阵发射机,并使用带有1×6阵列天线的发射机模块演示了波束控制功能。该发射机包括一个锁相振荡器和6个RF电路,这些电路由正交调制器,高增益放大器和功率放大器组成。每个RF电路直接连接到每个天线。通过切换传递到正交调制器的基带信号的路径,RF信号相位每90度改变一次。每个RF电路通常在1 dB压缩点处表现出0 dBm的功率,15 dB的转换增益和600MHz的3dB带宽。在1MHz偏移下,相位噪声为-80 dBc / Hz。观察到光束从0到60度转向。芯片尺寸为5毫米×2.5毫米。该电路在1.0 V电源下的功耗为960 mW。%60GHz的标准90nm CMOS同期発振器と6つのRF回路(直交変调器,高利得増幅器,送信増幅器)から构成され,各RF回路は6つの各アンテナへ接続される。直交変调器へ入力されるベースバンド信号の経路を切换える各とで,RF信号の位相を90°ステップで制御できる位相制御回路を开発した。各RF回路の性能は,PldBが0dBm,変换利得が15dB,3dB帯域が600MHzであった。ローカル信号の1MFz七送信机をアンテナへ接続した送信モジュールにおいて,放射角が0°から60°までビームステアリング特性グ测した。送信机チップのサイズは5mm×2.5mm消费,消费电力は电源电圧1.0Vで960mWであった。

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