直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製

摘要

MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ10~(12)cm~(-2)ev~(-1)であった。この値は、酸化と熱処理により作製したSiO_2/SiC MIS構造で報告されている値に近い。窒化膜上に酸化膜を重ねて堆積したMIS構造についてTerman法で界面準位密度を評価し、比較した結果、ほぼ同程度の値となった。高温で窒化した試料ほど低い界面準位密度が得られた。%Interface state density was estimated from diode factor n of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of 10~(12)cm~(-2)eV~(-1), and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from n was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO_2itride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density.