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マイクロ波励起表面波プラズマ半導体処理装置におけるマイクロ波とプラズマの自己無撞着解析に関する検討

机译:微波激发表面波等离子体半导体加工设备中微波与等离子体的自洽分析研究

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摘要

This paper presents a self-consistent analysis of microwave and plasma in microwave excited surface-wave plasma semiconductor processing equipment to aim to understand the mechanism of generation of the surface-wave plasma distribution. The simulation starts at the vacuum status for the size of equipment used in real experiment, and it is finally confirmed that surface-wave like plasma distributions are obtained.%マイクロ波励起表面波プラズマ半導体処理装置におけるプラズマが形成される現象を把握すべく,プラズマ中のマイクロ波と電子密度分布を同時に計算する自己無撞着のためのアルゴリズムの検討を行った。実際に用いられた装置形状において真空状態からシミュレーションを開始し,自己無撞着解析により徐々にプラズマを生成させ,最終的に表面波状のプラズマ分布が得られることを確認したので報告する。
机译:本文对微波激发的表面波等离子体半导体加工设备中的微波和等离子体进行了自洽分析,旨在了解表面波等离子体分布的产生机理。模拟从设备尺寸的真空状态开始在实际实验中使用,最终证实获得了类似表面波的等离子体分布。%微波激发的表面波等离子体为了了解半导体加工设备中等离子体形成,微波和等离子体中电子密度的现象研究了一种同时进行分布自洽计算的算法。我们报告说,模拟是从实际使用的器件形状中的真空状态开始的,并且通过自洽分析逐渐生成了等离子体,最终获得了表面波状的等离子体分布。

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