（110）SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価

摘要

（110）基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる．ナノワイヤFETはゲートオールアラウンド（GAA）構造を有しており，移動度測定用にマルチチャネルを有している．［110］方向のナノワイヤpFETでは，側面に（100）面が現れるが，高N_(inv)領域において（100）面に対して2．4倍もの移動度向上が得られることが明らかとなった．さらに，ひずみ効果も調べた結果，[110]方向が最適にナノワイヤpFETのチャネル方向であることを明らかにした．%Systematic study on hole mobility in gate-all-around (GAA) multiple Si nanowire pFETs on (110) SOI is presented for the first time. [110]-nanowires show high mobility, 2.4x enhancement over universal (100) mobility, even in high N_(inv) region and in narrow (25nm) nanowires. Furthermore, effects of uniaxial tensile stress are also investigated, indicating that [110] direction uniaxial stress is effective to modulate hole mobility in nanowires.