200keV 電子線照射による4H-SiC エビ膜中の多数キャリア密度の変化

摘要

添加量の異なるAl-doped 4H-SiC 及びN-doped 4H-SiC エビ膜に200keV の電子線を照射した場合の多数キャリア密度の温度依存性を調べた，さらにこれらの実験結果を用いて，FCCS（Free Carrier Concentration Spectroscopy）法から電子線照射によるドーバント密度及び補償密度の変化を詳細に調べ，添加量及びドーパント種が及ぼす耐放射線性について検討した．%The temperature dependencies of the majority-carrier concentrations in Al-doped 4H-SiC or N-doped 4H-SiC epilayers with several densities of dopants (Al or N) are measured after the irradiation with 200keV electrons at several faiences. By FCCS (Free Carrier Concentration Spectroscopy) using the obtained data, we investigate the changes of the dopant density and compensating density by the irradiation, and discuss the influence of dopant densities or dopant species on these changes.