GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討

摘要

GaAsエッチングナノワイヤFETによるTHz信号センシングについて述べる．デバイスを低温で動作させ量子化コンダクタンスを発現させると，その強い非線形性によりTHzフォトカレントが生じることを実験的に確認した．実験結果とフォトカレントのメカニズムにもとづき，FET並列加算ネットワーク上で確率共鳴を引き起こすことで微弱THz信号センシング能力の獲得とデバイス動作温度の向上の可能性について検討する．%THz signal sensing using GaAs nanowire FETs formed by lithography and chemical etching is described. THz photocurrent is experimentally observed when the device is operated at low temperature and conductance quantization appears. This result indicates that the strong nonlinear transfer characteristic plays an important role in conversion of the THz signal to the DC photocurrent. On the basis of this mechanism, sensing of very weak THz signal utilizing stochastic resonance in a FET parallel summing network is discussed.