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多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス

机译:多元素掺杂二氧化硅薄膜的发光

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摘要

シリカをべ-スとして、Ge,Ti,Snを混合ドープした多元素ドープシリカ薄膜において、紫外光励起による可視ルミネセンスが観測され、このルミネセンスは低温時には発光強度が増加する事が確認された。この多元素ドープシリカ薄膜と超構造シリカ薄膜の発光特性を比較し、構造による特性の違いを検討した。また、それら薄膜に加熱処理を施す事によるルミネセンスの観測を試みた。%We previously reported strong luminescence by UV excitation from artificial-lattice thin films of ion doped silica glass (silica superstructure thin films). Recently, we observed UV induced luminescence from silica films containing mixed dopants of Ge, Ti and Sn. This report presents temperature dependence of the luminescence for both the superstructure silica and mix doped silica films. Two types of temperature dependencies were observed, that are (1) luminescence increased at low temperature region, (2) luminescence decreased at low temperature region.
机译:在以二氧化硅为基础混合掺有Ge,Ti和Sn的多元素掺杂的二氧化硅薄膜中观察到可见发光,并且证实了该发光的发射强度在低温下增加。比较了多元素掺杂二氧化硅薄膜和上层结构二氧化硅薄膜的发射特性,并研究了取决于结构的特性差异。我们还尝试通过加热这些薄膜来观察发光。 %,以前报道了由离子掺杂的石英玻璃的人造晶格薄膜(二氧化硅超结构薄膜)通过紫外线激发而产生的强发光;最近,我们观察到了由含有Ge,Ti和Sn的混合掺杂剂的二氧化硅膜的紫外线诱导的发光。上部结构二氧化硅和混合掺杂的二氧化硅膜的发光的温度依赖性。观察到两种类型的温度依赖性,(1)在低温区域发光增加,(2)在低温区域发光减少。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2010年第178期|p.17-20|共4页
  • 作者单位

    神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科 243-0296 神奈川県厚木市下荻野1030;

    神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科 243-0296 神奈川県厚木市下荻野1030;

    沼津工業高等専門学校電気電子工学科 410-8501 静岡県沼津市大岡3600;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    シリカ; 多元素ドープ; 発光; 超構造;

    机译:二氧化硅;多元素掺杂;发光;上层结构;
  • 入库时间 2022-08-18 00:33:39

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