Eu 添加AlGaN/GaN HEMT 構造を用いた発光素子の検討

摘要

Eu添加 AlGaN/GaN HEMT 構造を用いた発光素子の実現にむけ，イオン注入によるEu 元素添加の加速エネルギー，注入量などの条件に対する電気的特性および発光特性を評価した.また，作製した3 端子型の発光素子で得られた赤色発光は，そのスペクトルから，希土類元素の内殻遷移に起因していることが示唆された.%Light emitting device based-on Eu-doped AlGaN/GaN HEMT structure hace been fabricated and studied. Dependence of ion-implantation conditions in terms of acceleration energy and Eu-dose on the electrical and emission properties are investigated. Obtained spectra of fabricated device have clean peaks suggesting that the observed red electroluminescence is due to the ~5D_0 -> ~7F_2 transition in Eu ions.