平滑化による形状記憶フイルム上への低電圧駆動有機トランジスタの作製

摘要

We fabricated low operation voltage organic transistors on shape-memory film which memorizes its shape by applying heat more than 150°C and can be applied to elastic circuits. Although this film had a problem of rough surface with RMS roughness of as large as 190 nm, we obtained p-type organic transistors with mobility of 0.51 cm~2/Vs and organic CMOS inverters with gain of 92 by forming a polyimide planarization layer. Furthermore, we obtained p-type transistors with mobility of 1.8 cm~2/Vs by adding a parylene planarization layer and using anodization process of gate electrodes.%我々は，熱で形状を記憶するフイルム上に低電圧駆動有機トランジスタを作製した．用いた形状記憶フイルムは150℃以上に加熱することで加熱時の形状を記憶し，伸縮性回路等に応用することができ．形状記憶フイルムはMS値190nmと表面が粗いことが課題であったが，ポリイミドを用いて平滑化を行うことにり，移動度0.51cm~2/Vsのp型有機トランジスタ，ゲイン92の有機CMOSインバータを得ることができた．更にリレン平滑化層を加え，ゲート電極の陽極酸化を用いることで移動度1.8cm~2/Vsのp型トランジスタを得るとができた．