DNA 電界効果トランジスタの電荷保持特性

摘要

The charge retention characteristics of the DNA molecules which are fabricated and bridged between the source/drain electrodes with 100nm-gap using the SOI substrates were examined. The drain current increase of the DNA FET was observed at every measurement of I_d-V_d characteristics. We inferred the reason of this phenomenon as follows. The hole current emitted from the n+ drain electrode increases due to the trap of electron at the DNA molecules. However, the electron which energy becomes larger than the Fermi energy is detraped from the DNA molecules by the negative gate voltage application. Thus, the I_d-V_d characteristics of the DNA FET were recovered.%SOI 基板を用いて、100nm のギャップを持つソース／ドレイン電極間を繋ぐように形成したDNA 分子の電荷保持特性を調査した．FET DNA のドレイン電流の増加は、I_d－V_d特性測定毎に観測された．私たちはこの現象の理由を次のように推測した。n＋ドレイン電極から放出される正孔電流は、DNA 分子内での電子のトラップにより増加する．しかしながら、すべてのフェルミエネルギーよりも大きな電子は、負のゲート電圧を印加することでDNA分子からデトラップされる．その結果、DNAFETのI_d－V_d特性が回復した．