フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング

摘要

本研究ではフォトニック結晶作製を目的とした，Cl_2／BCl_3／CH_4を用いた高Al組成AIGaAs誘導結合型プラズマエッチングをについて調べた．高Al組成AIGaAsにおいては，AlO_xの堆積によりエッチングレートが低下する．BCl_3は還元作用により堆積したAlOxを除去する効果がある．CH_4は重合膜を作るため，側壁保護効果をもつ．パターンサイズの影響を調べると，AlOェの堆積に起因した逆RIEラグが観測された．一方，パターンサイズが小さい場合には，この影響は限定的であることを確認した．この結果から，空孔直径110nm，アスペクト比8のフォトニック結晶構造を作製することに成功した．%We investigate inductively coupled plasma deep dry etching of Al_(0.8)Ga_(0.2)As for photonic crystal (PC) fabrication using CI_2/BCl_3/CH_4 chemistry. Characteristic AlO_X deposition is observed at etching, resulting in the reduction of the etching rate. BCI3 is considered to scavenge the deposited AlO_x by its reductive reaction. CH4 make polymer, having a effect of side wall protection. Concerning the impact of pattern size, pronounced inverse RIE lag is observed, which is beneficial for the small size PC fabrication typically having its holes diameter of several hundred nm. From the findings, we successfully fabricate PCs structure with the air holes having its aspect ratio of 8 having its diameter 110 nm.