高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

亢勇; 李雪; 何政; 方家熊

首页> 中文期刊>激光与红外 >高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后AlGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系.用扫描电镜(SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析.

著录项

来源
《激光与红外》|2005年第11期|885-887|共3页
作者
亢勇; 李雪; 何政; 方家熊;
展开▼
作者单位

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
AlGaN材料; 干法刻蚀; 损伤;
入库时间 2022-08-18 03:12:15

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨 [J] . 李金钗 ,季桂林 ,杨伟煌 . 发光学报 . 2016,第005期
2. Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性 [J] . 郑同场 ,林伟 ,蔡端俊 . 厦门大学学报（自然科学版） . 2016,第002期
3. 高Al组分AlGaN材料的制备与表征 [J] . 杨莲红 ,王俊珺 . 昌吉学院学报 . 2014,第002期
4. 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 [J] . 张彬彬 ,李书平 ,李金钗 . 厦门大学学报（自然科学版） . 2012,第001期
5. 退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响 [J] . 赵鸿燕 ,司俊杰 ,鲁正雄 . 激光与红外 . 2007,第012期
6. 高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀 [C] . 亢勇 ,李雪 ,何政 . 首届全国先进焦平面技术研讨会 . 2005
7. AlN及高Al组分AlGaN材料的MOCVD生长方法研究 [A] . 刘洋 . 2019

高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅