新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜（k＜3.5）

摘要

A SiC film by using DiBDMS has been developed as a Cu barrier Low-k film for 28nm-node devices and beyond. Using this technique, both low k value (k<3.5) and high hermeticity were obtained. From various analyses, the mechanism of both low-k value and high hermeticity is proposed.%今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS（Di-iso-Buthyl DiMethyl Silane）を用いたSiC膜を28nmノード以降のデバイス対応に開発した。この技術を用い、3．5未満の低誘電率化と低透水性の性能が得られた。さらに、各種分析により、低誘電率化と低透水性の両立が実現できるメカニズムを提案する。