回路系トップレベル学会を目指した体験: 異分野出身を活かす

摘要

本論文は大学院でシリコンデバイスを専攻した著者が，SRAM回路設計の研究に従事し，ISSCCやVLSI Symposiumといった回路系トップの学会を目指した際の体験を示すものである。著者はSRAMのしきぃ値電圧V_(TH)のばらつきによる読み出し/書き込みマージン減少に対し，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所的に電子注入を行う手法を提案しているが，この研究を着想した際の状況や論文として仕上げていく過程にも触れながら本手法について簡単に紹介する。%This paper shows the experiences of an author who is engaged in a low power SRAM circuit research. The author is a former device researcher. The paper briefly introduces two papers that have been presented in VLSI Symposium 2010 and ISSCC 2012， and gives some author's comments on the idea of the papers.