スパッタプロセスを用いたスピント型電子源の作製

摘要

従来のスピント型電子源作製プロセスを改良した新しいFEA作製プロセスを提案する.本提案プロセスでは，従来法の電子ビーム蒸着法で形成するアルミニウム剥離層の代わりにリフトオフレジストの剥離層を用い，ェミッタコーン形成を大電力パルススパッタリング法によって行う.ゲート電極の形成は，エッチバック法を用いて行うため，従来法に比べ集束電極の形成も容易になる.本提案プロセスは，従来のスピント型電子源作製プロセスの大面積化の妨げになっていた電子ビーム蒸着プロセスを用いずに，大面積化が容易なスパッタプロセスを用いるため，大型のFEA作製を実現することが期待できる.%A novel fabrication method of Spindt-type field emitter array will be presented. In our method, a double-layered photoresist is used as a parting layer, and high-power impulse magnetron sputtering is used instead of e-beam evaporator for emitter-cone formation. The etch-back method is adopted to form the multi-gate electrodes on each emitter cone. Using our method, the production of large-sized FEA would be realized without e-beam evaporator process.