场致发射型电子源及其制造方法以及用该电子源的显示器

摘要

本发明的场致发射型电子源10，设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中，从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子，在强电场漂移层6内向正面漂移，经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6，通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化，再用稀硝酸等氧化形成。