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非相反双安定半導体レーザの発振状態制御に関する研究

机译:单向双稳态半导体激光器的振荡状态控制研究

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摘要

Semiconductor optical isolator exhibits unidirectional propagation by transversal Kerr effect of ferromagnetic metal. Especially, it shows unidirectional amplification when the gain of semiconductor optical amplifier exceeds the propagation loss by ferromagnetic metal. In this report, we fabricated magnetic bistable laser diodes which are composed of amplifying semiconductor optical isolator. We have fabricated electrode on satuable absorber to apply voltage. We observed a change of optical intensity 102% at 100mA upon magnetization reversal of ferromagnetic metal.%半導体光アイソレータは,強磁性金属の横磁気カー効果によって一方向伝搬特性を示す.特に,半導体光増幅器の利得が強磁性金属による吸収損失を上回ると,一方向増幅特性を示す.本研究では,半導体光アイツレータを双安定半導体レーザに応用した非相反双安定半導体レーザを作製した.可飽和吸収領域には,電圧印加による発振状態制御を行うための電極を設け,評価を行った.強磁性金属の磁化反転により,102%の光強度変化を得た.
机译:半导体光隔离器通过铁磁金属的横向克尔效应表现出单向传播,特别是当半导体光放大器的增益超过铁磁金属的传播损耗时,它表现出单向放大。我们在可吸收吸收器上制造了电极以施加电压。我们观察到铁磁金属磁化反转时100mA时光强度发生102%的变化。%半导体光隔离器由于铁磁金属的横向磁Kerr效应而为单向的。示出了传播特性,特别是当半导体光放大器的增益超过由铁磁性金属引起的吸收损耗时,示出了单向放大特性。制作了激光器,在饱和吸收区域中安装并评价了通过施加电压来控制振荡状态的电极,并由于铁磁性金属的磁化反转而使光强度变化了102%。

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