非相反双安定半導体レーザの発振状態制御に関する研究

摘要

半導体光アイソレータは，強磁性金属の横磁気カー効果によって一方向伝搬特性を示す．特に，半導体光増幅器の利得が強磁性金属による吸収損失を上回ると，一方向増幅特性を示す．本研究では，半導体光アイソレータを双安定半導体レーザに応用した非相反双安定半導体レーザを作製した．可飽和吸収領域には，電圧印加による発振状態制御を行うための電極を設け，評価を行った．強磁性金属の磁化反転により，102％の光強度変化を得た．