N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討

摘要

Siとの多接合型太陽電池への応用が期待されるGaPN混晶はS添加することでn型とした場合、ドナーの活性化率が低く、電子の移動度が低下する。そこで、有機金属気相成長法により、N原料であるUDMHyを交互供給することで、Nの取り込みを制御し、キヤリァ濃度及び電子移動度の改善を行った。Hall効果測定により、連続供給n-GaPN:Sと比較してN交互供給n-GaPN:Sは、同じN組成においてもキャリア濃度の增加が見られ、電子移動度はn-GaP:Sと同程度まで改善した。%GaPN has received much attention for multi-junction solar cells with Si. However, electron mobility of n-GaPN:S was very low compare to n-GaP:S. The growth and electrical properties of n-type GaPN:S layer using alternately N supplied by organometallic vapor phase epitaxy are investigated The N composition of alternately supplied is two times higher than that of continuous supplied on same flow condition of unsymmetrical dimethyl-hydrazine as the N source. The electron concentration and electron mobility are improved by alternately N supply method.