ニュース解說

摘要

(株)東芝は,スマートフォンやタブレツトなどに搭載されているモバイルプロセッサ用キヤッシュメモリ向けに,世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体STT-MTJ(Spin Transfer Torque Magnetic Tunneling Junction)素子を開発した.また, SRAMの代替メモリとしてSTT-MTJ素子を検討した結果,標準的なモバイル向けSRAM搭載プロセッサと比較して消費電力を1/3程度に低減できることを示した.