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机译:深亚微米CMOS技术中不切实际的最坏情况建模对VLSI电路性能的影响
机译:不切实际的最坏情况建模对深亚微米CMOS技术中VLSI电路性能的影响
机译:适用于LHC实验的标准深亚微米CMOS技术中的耐辐射VLSI电路:实用设计方面
机译:深亚微米技术中的高性能动态CMOS电路设计
机译:深亚微米CMOS技术中不切实际的最坏情况建模对VLSI电路性能的影响
机译:一种新颖的动态功率截止技术(DPCT),用于降低深亚微米VLSI CMOS电路中的有源泄漏。
机译:用于亚微米像素的45 nm堆叠式CMOS图像传感器处理技术
机译:适用于LHC实验的标准深亚微米CMOS技术中的耐辐射VLSI电路:实用设计方面