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机译:晶圆和化学机械平面化过程中焊盘之间浆膜的可视化表征
VLSI; chemical mechanical polishing; flow visualisation; integrated circuit measurement; surface topography; CMP; carrier speed; chemical mechanical planarization; digital picture; dyed fluid; flow visualization; fluid film distribution; material removal; material un;
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:亚微米集成电路制造化学机械平面中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的耦合效应
机译:晶片形状对化学机械平面化浆料膜厚度和摩擦系数的影响
机译:化学机械平面化中的浆料平均停留时间分析和焊盘与晶片的接触特性。
机译:化学机械平面化过程中浆料混合程度和可用性的浆料注入方案
机译:化学机械平面化过程中的浆料平均停留时间分析和焊盘晶圆接触特性