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机译:交替倒置扫描顺序改善砷注入硅的非熔融激光退火过程中的晶圆内均匀性
Ion implantation; laser annealing; p–n junctions; resistance; semiconductor materials;
机译:多次扫描进行非熔融激光退火后,预非晶硅中超浅硼注入的失活
机译:砷和磷注入硅的非熔融激光退火过程中晶片不均匀性引起的失活
机译:碳共注入对非熔融激光退火后硼的失活和扩散的抑制
机译:使用非熔融激光退火在500 eV硼注入的硅中形成超浅结
机译:硼注入硅的非熔融激光退火。
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:多次扫描进行非熔融激光退火后,预非晶硅中超浅硼注入的失活
机译:砷注入硅中间隙环的退火