机译:使用选择性区域硅离子注入降低GaN中的接触电阻
US Naval Res Lab High Power Electrons Branch Washington DC 20375 USA;
GaN; Si; PCSS; ion activation; SMRTA;
机译:使用加压快速热退火技术对掺入Si离子的GaN进行掺杂剂激活和超低电阻欧姆接触
机译:通过离子注入中欧姆接触的选择性区域生长来提高AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
机译:通过离子注入中欧姆接触的选择性区域生长来提高AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
机译:通过将氟或氯注入到多晶硅发射极触点中,可增加Sige HBT中的电流增益并降低发射极电阻。
机译:粗糙表面微型螺钉植入物的骨-植入物接触的三维分析。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:使用InGaN / AlGaN超晶格降低对p-GaN的欧姆接触电阻
机译:与si注入和未注入的n型GaN的欧姆接触