机译:C对具有IDP发射极的单多晶硅SiGe:C HBT的发射极基极设计的影响
机译:故意增加界面氧化物层的多晶硅发射极双极晶体管的发射极电阻与电流增益之间的权衡
机译:快速热处理对多晶硅发射极双极型晶体管电流增益和发射极电阻的影响
机译:用于SiGe HBT的F注入,低热预算的多晶硅发射极的增加的电流增益和减小的发射极电阻
机译:了解和开发可用于低成本硅太阳能电池的高薄层电阻发射器上的可制造丝网印刷触点。
机译:通过高密度氢处理减少界面陷阱以提高钝化发射极后接触电池的效率
机译:快速热退火多晶硅发射极晶体管中的发射极电阻和电流增益。
机译:用于硅太阳能电池应用的多晶硅接触p sup +发射器